- 雙射線源配置方向
- Micro + Nano
- 202608 手冊微米掃描範圍
- Ø480 × H655 mm
- JIMA 奈米最佳解析度，依配置
- 0.25 µm
01 · 產品概覽
先看整體，再聚焦關鍵區域
EasyTom L 提供微米／奈米雙射線源與多種探測器選擇，適合需要跨尺度觀察的材料、電子及精密零件。較大的內部空間，也可用於評估拉伸、壓縮、彎曲或溫度等原位裝置。
雙源的價值是按目標切換配置：先建立整體結構，再對特定區域提高細節。每一次切換，都需要重新確認可用視野、穿透條件、定位及分析方法。
02 · 技術規格
微米與奈米配置分開看
本表依 202608 手冊印刷第 17 頁，區分微米與奈米配置；不是所有數值可同時達成。
| 項目 | 微米配置 | 奈米配置 |
|---|---|---|
| 最大掃描範圍 | Ø480 × H655 mm | Ø220 × H350 mm |
| 最大負載 | 80 kg | 20 kg |
| 最高解析度 | 依所選微米射線源與條件 | 0.25 µm（JIMA 測試卡）；對應 160 kV／16 W 奈米源，依掃描條件 |
| 雙源配置方向 | 最高 300 kV 微米源 | 搭配 160 kV 奈米源 |
手冊規格表列 7 軸機械結構；機櫃尺寸為寬 2400 × 深 1400 × 高 2000 mm。
版本確認：原廠線上產品頁另列 Ø450 × H640 mm，與本表不同；此處不混合兩份資料。實際掃描範圍會受探測器及配置影響，機械軸數、機櫃尺寸與交付能力請以所選配置確認書為準。
03 · 高能量配置
高能量配置，處理的是另一組條件
手冊印刷第 12 頁另列 450 kV 高能量源＋150 kV 微米源的雙源方向，可針對高密度、較厚工件討論穿透能力。這與 300 kV 微米＋160 kV 奈米配置分屬不同選擇，不應把「450 kV」與「0.25 µm」寫成同時實現的規格。手冊第 17 頁將 450 kV／450 W 射線源另列為 40 µm JIMA 測試卡解析度，不可套用奈米源的最佳數值。
04 · 原位研究
原位研究要一起評估治具與影像
- 試驗裝置是否遮擋射線，或產生強烈金屬偽影。
- 施加載荷或溫度後，工件是否在採集中移動。
- 不同狀態的 CT 資料如何定位、配準與比較。
- 治具、供電與控制線的走向，以及設備安全與相容性。
原位 CT 可協助觀察狀態變化，但是否能辨識目標缺陷，仍須以材料、載荷條件與代表性樣品確認。
05 · 購買前確認
提供全件與局部兩種需求
整體需求
外形、重量、材質組合、最大穿透路徑，以及希望保留的組裝狀態。
局部需求
關鍵區位置、缺陷尺度、需要的對比，以及是否允許取樣或局部放大。
量測需求
CAD、基準、尺寸公差、表面提取方法與可接受的不確定度。
資料來源與閱讀說明
- RX Solutions 高精度工業 CT 產品手冊（瑞埃德，202608 版）｜印刷第 12、17–18 頁
- RX Solutions EasyTom L ↗
UCI 宇創整理｜。規格與配置依所列版本說明；實際供應與檢測能力需按樣品和配置確認。
SAMPLE TEST & CONFIGURATION
帶著工件條件
確認適合的配置
尺寸、材質、目標缺陷與預期輸出，都是討論起點。敏感 CAD 或設計資料，請先確認交流範圍。